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APTGLQ75H120T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
1
¥756.1847
756.1847
5
¥731.8219
3659.1095
10
¥709.0072
7090.072
25
¥675.8869
16897.1725
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
130 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
385 W
封装 / 箱体
SP1-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格，APTGLQ75H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA123JT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:12937
PDTA114YQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA114YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:9325
IGP06N60TXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8139
参考库存:4757
IPP060N06N
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 45A TO220-3
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:4928
PDTA114YT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:12968
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