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晶体管

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APTGT150DH60TG

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库存:28,317(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥579.5318
57953.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150DH60TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.6048
10:¥4.6104
100:¥2.9719
1,000:¥2.3843
2,500:¥2.3843
参考库存:9046
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:7048
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
参考库存:5350
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:18252
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 126A
5,000:¥3.7516
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:18255
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