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晶体管
BST60,115参考图片

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BST60,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
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库存:2,579(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥2.0001
2000.1
2,000
¥1.695
3390
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
1 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
宽度
2.6 mm
商标
Nexperia
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
BST60 T/R
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,BST60,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥38.42
10:¥32.657
100:¥28.2726
250:¥26.8149
参考库存:5042
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:6524
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM small low-loss intelligent molded module IPM, 3-phase inverter 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
1:¥129.0121
10:¥118.6387
25:¥113.7232
100:¥100.1971
参考库存:4168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 22kO SOT-23
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:10048
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 250mW 2.6mW
1:¥175.5003
10:¥149.2956
100:¥138.6962
250:¥127.2493
参考库存:4285
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