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晶体管
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HP8KA1TB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch+Nch 30V Power MOSET
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
2,500
¥2.1809
5452.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms, 7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC, 24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
5.8 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
2 N-channel
类型
Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
14 S, 14 S
下降时间
40 ns, 40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns, 30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns, 85 ns
典型接通延迟时间
25 ns, 25 ns
零件号别名
HP8KA1
单位重量
70.600 mg
商品其它信息
优势价格,HP8KA1TB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
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1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
参考库存:43508
晶体管
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1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3563
参考库存:6151
晶体管
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1:¥22.2045
10:¥20.1366
100:¥16.4415
500:¥13.1419
1,000:¥11.1418
3,000:¥10.4525
参考库存:4052
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:1317
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