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晶体管
TSM60NB380CH C5G参考图片

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TSM60NB380CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V, 9,5A, 0,38OHMS N channel Mosfet
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库存:30,282(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥5.7517
86275.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
19.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.6 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
23.6 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM60NB380CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.407
500:¥3.8985
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.938
参考库存:4560
晶体管
射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB
1:¥898.9489
2:¥874.055
5:¥854.0766
10:¥829.1036
参考库存:3290
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
1:¥3.2318
10:¥2.4973
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:44017
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:111758
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8591
参考库存:6410
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