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晶体管
APTGLQ50DDA65T3G参考图片

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APTGLQ50DDA65T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块
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库存:30,276(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥350.7746
35077.46
250
¥343.3957
85848.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
175 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ50DDA65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
参考库存:24176
晶体管
MOSFET NX3020NAK/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥1.6159
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:10840
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:73568
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA123ET/TO-236AB/REEL 11" Q3
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:23570
晶体管
MOSFET RAIL MOSFET
暂无价格
参考库存:24185
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