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晶体管
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IPP034N08N5AKSA1

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库存：4,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥18.3625
183.625
100
¥15.9104
1591.04
250
¥15.0629
3765.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
76 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP034N08N5 SP001227046
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP034N08N5AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJD41CRLG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W NPN
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
1,800:¥1.9775
参考库存:5779
ULN2003AN
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darlington
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
参考库存:28543
MMDT5551-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 160V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:55227
CSD16409Q3
Texas Instruments
晶体管
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.6104
500:¥4.0793
2,500:¥2.8589
10,000:查看
参考库存:6781
MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor
晶体管
JFET 25V 10mA
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:13835
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