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晶体管
STF26NM60N参考图片

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STF26NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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数量单价合计
1
¥49.0985
49.0985
10
¥41.7196
417.196
100
¥36.1939
3619.39
250
¥34.2729
8568.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF26NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 5.5A
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
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晶体管
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1:¥270.635
5:¥260.0243
10:¥250.2724
25:¥229.9776
参考库存:3594
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:11583
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 100mA PNP SILCON
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:48063
晶体管
达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.2883
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.3843
参考库存:4959
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