您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
SIHB33N60ET5-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

SIHB33N60ET5-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds E Series D2PAK TO-263
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:30,273(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥23.6622
18929.76
2,400
¥22.5096
54023.04
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
E
晶体管类型
MOSFET
商标
Vishay / Siliconix
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SIHB33N60ET5-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 10V 30MA FT
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:9143
晶体管
MOSFET N Ch 55V 3.2 120A Pwr MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
参考库存:2990
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:13581
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 80A TO220-3 OptiMOS-P2
1:¥15.7522
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2025
晶体管
MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,500:¥4.3957
9,000:查看
参考库存:2651
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们