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晶体管
IPD180N10N3GBTMA1参考图片

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IPD180N10N3GBTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
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库存:6,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.5652
2282.6
2,500
¥3.1979
7994.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
14.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD180N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
G IPD180N10N3 IPD18N1N3GXT SP000482438
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD180N10N3GBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.441
2,500:¥4.5087
10,000:查看
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
参考库存:4587
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥61.246
10:¥55.4039
25:¥52.7936
100:¥45.878
参考库存:3935
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
暂无价格
参考库存:35878
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:5708
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