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晶体管
BSO612CV G参考图片

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BSO612CV G

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库存:3,565(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.2263
62.263
100
¥4.7799
477.99
500
¥4.2262
2113.1
2,500
¥2.9606
7401.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO612
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
30 ns, 95 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns, 60 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 145 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 15 ns
零件号别名
BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO612CV G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:1258
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:21333
晶体管
IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥4.8816
参考库存:2896
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:31802
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:2464
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