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晶体管
IRFS59N10DTRLP参考图片

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IRFS59N10DTRLP

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库存:5,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥14.9838
1498.38
250
¥14.2154
3553.85
500
¥12.7577
6378.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
59 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001557452
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS59N10DTRLP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4719
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥47.3357
10:¥39.1884
100:¥32.2728
250:¥31.2784
参考库存:4972
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:8518
晶体管
MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
1:¥27.9675
10:¥22.5096
100:¥20.5208
250:¥18.5207
5,000:¥12.8368
参考库存:9451
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥24.0464
10:¥20.4417
100:¥17.6732
250:¥16.7466
1,000:¥12.6786
2,000:查看
参考库存:4914
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