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晶体管
IRLS3036TRL7PP参考图片

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IRLS3036TRL7PP

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
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库存:7,007(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥26.2047
26.2047
10
¥22.2836
222.836
100
¥19.2891
1928.91
250
¥18.3625
4590.625
800
¥13.8312
11064.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
380 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
390 S
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
540 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001574154
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLS3036TRL7PP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel JFET 50mA
73:¥97.4286
100:¥89.5977
250:¥81.6764
500:¥76.3767
参考库存:41198
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥18.9049
10:¥17.063
50:¥15.2889
100:¥13.7521
参考库存:41201
晶体管
IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT
1:¥32.883
10:¥27.8884
100:¥24.2046
250:¥22.9729
参考库存:41204
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
参考库存:41207
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET
1:¥836.0192
5:¥820.6512
10:¥783.6889
25:¥757.5633
参考库存:41210
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