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ALD1106PBL

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数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥32.7361
327.361
25
¥29.4252
735.63
50
¥28.6568
1432.84
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-14
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.8 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD1106P
晶体管类型
4 N-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
1.620 g
商品其它信息
优势价格，ALD1106PBL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:31183
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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