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晶体管
FGH60N60SMD-F085参考图片

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FGH60N60SMD-F085

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数量单价合计
1
¥49.4036
49.4036
10
¥44.6463
446.463
25
¥42.5671
1064.1775
100
¥36.9623
3696.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
600 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH60N60SM_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH60N60SMD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH60N60SMD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥9.4468
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1,000:¥6.8591
2,000:¥6.8591
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1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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