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晶体管
IKD06N60RA参考图片

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IKD06N60RA

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥6.9721
3486.05
1,000
¥5.5144
5514.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RAATMA1 SP000729342
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IKD06N60RA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥140.0748
5:¥134.6282
10:¥129.5545
25:¥119.102
参考库存:19455
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS)
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:19458
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
暂无价格
参考库存:19461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:25264
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,500:¥10.0683
4,500:查看
参考库存:19466
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