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晶体管
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IKD06N60RA

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥6.9721
3486.05
1,000
¥5.5144
5514.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RAATMA1 SP000729342
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，IKD06N60RA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLR014TR
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
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SD57045-01
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晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:5659
IPD65R380C6
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晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4523
2,500:¥6.4523
参考库存:45459
APT30M36JFLL
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥355.159
5:¥344.4692
10:¥334.3331
25:¥313.4281
参考库存:45462
RJH60V2BDPP-M0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥21.9785
10:¥19.8202
25:¥17.7523
100:¥15.9104
参考库存:45465
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