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晶体管
IKD06N60RA参考图片

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IKD06N60RA

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
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数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.91
791
500
¥6.9721
3486.05
1,000
¥5.5144
5514.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RAATMA1 SP000729342
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IKD06N60RA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
800:¥7.2433
参考库存:8662
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
1:¥28.8941
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:4876
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5845
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:36003
晶体管
MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
1:¥7.9891
10:¥7.006
100:¥5.4014
500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
参考库存:6720
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