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晶体管
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IPA041N04NGXKSA1

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库存：8,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G IPA041N04N SP001191328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA041N04NGXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMMJT350T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:7895
BSR606N H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.7629
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:7837
J270
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥27.5042
10:¥22.1254
100:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:5498
DTC114YET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:18943
BDW93C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:2577
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