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晶体管
IPA041N04NGXKSA1参考图片

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IPA041N04NGXKSA1

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库存:8,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.1303
71.303
100
¥5.4805
548.05
500
¥4.8364
2418.2
1,000
¥3.8194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
48 S
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G IPA041N04N SP001191328
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA041N04NGXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 40A 83W
1:¥24.2046
10:¥20.0575
3,000:¥20.0575
参考库存:3534
晶体管
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1:¥14.1363
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
2,500:¥6.5088
5,000:查看
参考库存:12647
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
1,000:¥5.7856
2,500:¥5.7856
参考库存:4376
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6614
参考库存:3156
晶体管
IGBT 晶体管 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
1:¥24.2046
10:¥20.5208
100:¥17.8314
250:¥16.9048
800:¥12.7577
2,400:查看
参考库存:4134
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