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晶体管
NGTB30N65IHL2WG参考图片

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NGTB30N65IHL2WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/30A FAST IGBT FSII T
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数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5153
5878.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,NGTB30N65IHL2WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Hi Switching Speed High Voltage
1:¥95.2025
10:¥88.9084
25:¥83.4505
50:¥72.3087
参考库存:44950
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:44953
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:44956
晶体管
MOSFET TRENCHPLUS MOSFET
1:¥21.2892
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
参考库存:44959
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR -80V -1A
1:¥1.8419
10:¥1.1639
100:¥0.52997
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.25312
参考库存:44962
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