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晶体管
IFCM30U65GDXKMA1参考图片

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IFCM30U65GDXKMA1

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库存:4,288(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥128.0177
128.0177
10
¥117.7234
1177.234
25
¥112.7966
2819.915
100
¥99.3496
9934.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
60.4 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM30U65GD SP001423506
商品其它信息
优势价格,IFCM30U65GDXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥15.7522
10:¥13.1419
100:¥10.1474
500:¥8.9157
1,000:¥7.3563
3,000:¥7.3563
参考库存:11571
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:17847
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.684
10:¥6.554
100:¥5.0285
500:¥4.4522
1,000:¥3.5143
2,500:¥3.5143
参考库存:3457
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
1:¥2.6894
10:¥2.0792
100:¥1.13
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72998
9,000:¥0.68365
参考库存:10638
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.3108
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
10,000:¥0.1921
20,000:查看
参考库存:21365
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