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产品分类

晶体管
IKW50N60DTPXKSA1参考图片

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IKW50N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:5,372(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.7986
39.7986
10
¥33.8887
338.887
100
¥29.3574
2935.74
250
¥27.8206
6955.15
500
¥24.973
12486.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
319.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60DTP SP001379678
单位重量
6.065 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N60DTPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
4,800:¥7.571
9,600:查看
参考库存:9863
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.2945
10:¥12.9046
100:¥10.3734
500:¥8.0682
1,000:¥6.6896
3,000:¥6.0455
参考库存:7272
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥5.0963
6,000:查看
参考库存:9900
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
1,000:¥4.1358
5,000:¥4.1358
参考库存:15980
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
1:¥28.8941
10:¥24.5888
100:¥21.2892
250:¥20.2044
500:¥18.1365
参考库存:4123
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