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晶体管
DTA114YU3T106参考图片

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DTA114YU3T106

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
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数量单价合计
1
¥1.4577
1.4577
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
典型电阻器比率
4.7
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
68
最大工作频率
250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极连续电流
- 100 mA
峰值直流集电极电流
- 100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出电压
- 100 mV
商标
ROHM Semiconductor
通道模式
Enhancement
最大直流电集电极电流
- 100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DTA114YU3T106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1189
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
4,000:¥3.5708
参考库存:7936
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:24712
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3624
晶体管
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
1,000:¥8.7575
参考库存:3582
晶体管
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
3,000:¥2.2826
参考库存:5092
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