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晶体管
TK31E60X,S1X参考图片

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TK31E60X,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
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库存：4,250(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.9568
39.9568
10
¥32.1146
321.146
100
¥29.2783
2927.83
250
¥26.4307
6607.675
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK31E60X
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK31E60X,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6297
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥247.7299
5:¥236.5881
10:¥229.2092
25:¥210.6207
参考库存:45782
P3F60HP2-5600
Shindengen
晶体管
MOSFET High Switching Speed High Voltage
1:¥10.7576
10:¥9.7632
100:¥8.4524
500:¥7.5823
参考库存:45785
FS100R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
1:¥1,711.5319
5:¥1,670.3434
10:¥1,628.8498
25:¥1,606.0351
参考库存:45788
2SCR552PT100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 2Kbit EEPROM
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,000:¥1.5368
参考库存:45791
IPB47N10SL-26
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
1,000:¥7.2885
参考库存:45794
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