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晶体管
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SPB80N06S-08

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数量单价合计
1,000
¥10.9158
10915.8
2,000
¥10.3734
20746.8
5,000
¥9.9892
49946
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
SIPMOS
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SIPMOS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，SPB80N06S-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC144EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 50V 100MA EMD3
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:9737
VT6Z1T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
参考库存:10195
2N6036G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4555
RQ5A030APTL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -12V -3A Middle Power MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7305
FJA4313OTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
1,000:¥6.215
参考库存:3189
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