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晶体管
TSM4N90CZ C0G参考图片

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TSM4N90CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 900V 4Amp N channel Mosfet
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库存:31,998(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥6.6331
26532.4
5,000
¥6.3845
31922.5
10,000
¥6.2602
62602
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
123 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
49 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TSM4N90CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
1,500:¥3.3448
参考库存:2621
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transi
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:5894
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 6-Pin
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:3441
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4078
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:4494
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