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晶体管
IKD10N60RFAATMA1参考图片

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IKD10N60RFAATMA1

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库存:32,023(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥7.0625
17656.25
5,000
¥6.8026
34013
10,000
¥6.5314
65314
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD10N60RFA SP001205244
商品其它信息
优势价格,IKD10N60RFAATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
参考库存:6694
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:17941
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:17944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:17947
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.3192
10:¥50.2511
100:¥41.1885
250:¥33.3463
500:¥30.736
参考库存:4250
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