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晶体管
NJW21193G参考图片

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NJW21193G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W PNP
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库存：3,656(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NJW21194
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
18.7 mm
长度
15.6 mm
封装
Tube
宽度
4.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，NJW21193G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:8729
APT5020BVFRG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥111.644
5:¥107.2709
10:¥103.2707
25:¥94.8974
参考库存:4357
PSMN020-30MLCX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 30 V 18.1 mo FET
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
1,500:¥1.3786
参考库存:6860
2N4401TAR
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:15262
DDB6U75N16W1R_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:4292
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