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晶体管
STGB20NC60V参考图片

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STGB20NC60V

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT
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库存:5,693(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB20NC60V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
4.6 mm
长度
8.5 mm
宽度
15 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
30 A, 60 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB20NC60V的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:5523
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 30A
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:19532
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:1946
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:6908
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:5122
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