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晶体管
UJ3C065030K3S参考图片

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UJ3C065030K3S

  • UnitedSiC
  • 新批次
  • MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
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库存:1,946(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥237.7407
237.7407
5
¥227.0622
1135.311
10
¥219.9884
2199.884
25
¥202.1683
5054.2075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
UnitedSiC
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
UJ3C
商标
UnitedSiC
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
44 ns
商品其它信息
优势价格,UJ3C065030K3S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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