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晶体管
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A3T23H450W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥1,069.8388
1069.8388
5
¥1,048.866
5244.33
10
¥999.9935
9999.935
25
¥978.9416
24473.54
100
¥929.99
92999
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 0.5 V, 65 V
增益
14.7 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935374125128
商品其它信息
优势价格，A3T23H450W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC52PASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
参考库存:34192
KSC5402DTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/2A/800V DPAK
暂无价格
参考库存:8322
DMPH6250SQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:16344
FQD4P25TM-TWS
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM
2,500:¥3.0284
10,000:¥2.9154
25,000:¥2.825
参考库存:34199
TSC5302DCH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
15,000:¥1.4916
24,375:¥1.4125
48,750:¥1.3786
参考库存:27327
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