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晶体管
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RQ1C075UNTR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
3,000
¥1.6724
5017.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
1 N-channel
类型
Power MOSFET
宽度
2.4 mm
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
RQ1C075UN
商品其它信息
优势价格，RQ1C075UNTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GTVA263202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,866.1385
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9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
99,000:¥0.1695
参考库存:28231
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