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晶体管
ZXT10P12DE6TA参考图片

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ZXT10P12DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V PNP SuperSOT4
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.8419
5525.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 195 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT10
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1.3 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.75 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 2.5 A, 2 V, 60 at 8 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格,ZXT10P12DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 30A 250V Bipolar Power PNP
1:¥53.788
10:¥48.6352
50:¥46.33
100:¥40.2619
参考库存:1927
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.8024
100:¥1.7628
500:¥1.4238
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:3576
晶体管
MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET
1:¥8.8366
10:¥7.5823
100:¥5.8195
500:¥5.1528
参考库存:2600
晶体管
MOSFET 400V 1ohm@10V 5.5A N/Ch
1:¥8.8366
10:¥7.2659
100:¥5.5709
500:¥4.7912
参考库存:2286
晶体管
MOSFET 1200V 80m? SiC Cascode Fast
1:¥252.0352
5:¥240.7352
10:¥233.2094
25:¥214.3045
参考库存:1719
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