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BSS306NH6327XT

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
57 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS306
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSS306NH6327XTSA1 SP000928940
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS306NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFP17N50LPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥55.709
10:¥50.172
25:¥45.7198
100:¥41.2676
参考库存:3370
TK31E60X,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
1:¥39.9568
10:¥32.1146
100:¥29.2783
250:¥26.4307
参考库存:4250
NTR5198NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:45680
MJD112RLG
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,800:¥1.4577
参考库存:16547
2N4236
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Ampl/Switch
1:¥24.2837
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:3309
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