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晶体管
NGTB15N120IHWG参考图片

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NGTB15N120IHWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
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库存:4,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
278 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB15N120IHWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSM Transistor
1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.9379
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.5989
参考库存:19571
晶体管
MOSFET 0.9V Drive Nch MOSFET
1:¥1.6159
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:6726
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NRND, alternate is LM395T/NOPB
45:¥35.1882
135:¥28.7359
270:¥26.9731
540:¥24.5097
参考库存:4744
晶体管
MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
3,000:¥9.0626
6,000:查看
参考库存:6958
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:52778
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