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晶体管
CSD86330Q3D参考图片

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CSD86330Q3D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
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库存:18,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.4297
16074.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC, 9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD86330Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
52 S, 82 S
开发套件
CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
下降时间
1.9 ns, 4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns, 6.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 5.3 ns
单位重量
64 mg
商品其它信息
优势价格,CSD86330Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30V TR
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
10,000:¥0.87575
20,000:查看
参考库存:13222
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
5,000:¥6.5992
10,000:查看
参考库存:3376
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A
1:¥6.7574
10:¥5.6274
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
4,000:¥2.4634
参考库存:9072
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.9098
500:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.3391
参考库存:20469
晶体管
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:3687
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