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晶体管
STB7ANM60N参考图片

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STB7ANM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
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库存：4,349(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.9048
169.048
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
1,000
¥9.7632
9763.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB7ANM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB7ANM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCM857BS,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MATCHED PAIR
1:¥2.7685
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
10,000:¥0.69947
20,000:查看
参考库存:16248
KSE45H11TU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.8421
10:¥4.8364
100:¥3.1301
1,000:¥2.4973
参考库存:4842
NSVMUN5212DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.39211
参考库存:32800
IRFHS8242TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:7030
2N5550
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
参考库存:7354
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