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晶体管
D3S190N65E-T参考图片

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D3S190N65E-T

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 190 mOhm 650V
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数量单价合计
800
¥7.458
5966.4
2,400
¥6.9495
16678.8
4,800
¥6.6896
32110.08
9,600
¥6.441
61833.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,D3S190N65E-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:11613
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A
1:¥13.3679
10:¥11.3678
100:¥9.0626
500:¥7.9891
3,000:¥6.1133
6,000:查看
参考库存:7115
晶体管
MOSFET P-CH 20V 1.5A
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:18317
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
5,000:¥12.2944
参考库存:18320
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:18323
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