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晶体管
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FDD5N50NZFTM

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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.328
63.28
100
¥4.859
485.9
500
¥4.294
2147
2,500
¥3.0171
7542.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.47 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50NZF
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.2 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD5N50NZFTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A NPN low VCE sat (BISS) transi
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10:¥2.0792
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10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
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1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
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1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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