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晶体管
SIHA2N80E-GE3参考图片

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SIHA2N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.2943
102.943
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.9495
3474.75
1,000
¥5.763
5763
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2.75 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
19.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格，SIHA2N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKA10N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2885
参考库存:3758
CSD15380F3T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:5454
SIHA120N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220
1:¥40.567
10:¥33.5836
100:¥27.6624
250:¥26.8149
参考库存:3273
PDTC124TU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:3780
DDTC113TCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:9280
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