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晶体管
SIHA12N50E-E3参考图片

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SIHA12N50E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.1362
121.362
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8026
6802.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
10.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHA12N50E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥20.1366
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1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
1,000:¥5.4692
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