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晶体管
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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,QPD1010的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥36.1939
10:¥32.3519
100:¥26.7358
250:¥24.5097
参考库存:5485
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET Low Rdson
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
1,000:¥5.0737
2,500:¥5.0737
参考库存:3771
晶体管
IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
1:¥37.7307
10:¥32.0468
100:¥27.7415
250:¥26.3516
500:¥23.6622
参考库存:3095
晶体管
MOSFET 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:4859
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:6908
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