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晶体管
QPD1010参考图片

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QPD1010

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
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库存:4,404(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥157.9062
157.9062
25
¥136.5492
3413.73
100
¥118.1076
11810.76
250
¥109.8812
27470.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
400 mA
输出功率
11 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
4 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1010-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
零件号别名
1132873
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,QPD1010的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
5,000:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:8693
晶体管
MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0342
500:¥5.3336
1,000:¥4.2149
3,000:¥4.2149
参考库存:5629
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.5255
参考库存:30878
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
2,500:¥5.5596
参考库存:5732
晶体管
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L
1:¥9.379
10:¥7.6727
100:¥5.8986
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
3,000:¥4.0002
参考库存:9697
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