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晶体管
SQM120N04-1M7_GE3参考图片

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SQM120N04-1M7_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.2044
202.044
100
¥16.5997
1659.97
250
¥16.0573
4014.325
800
¥12.1362
9708.96
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
310 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
198 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM120N04-1M7_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF200R17KE3_S4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
10:¥987.6991
30:¥967.0314
50:¥966.9523
100:¥918.6222
参考库存:32978
NSVBC124XDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT563 DUALL 22/ 47
1:¥3.6838
10:¥2.4069
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
4,000:¥0.5989
参考库存:32981
MMRF1009HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
50:¥3,714.6716
参考库存:32984
PSMNR58-30YLHX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMNR58-30YLH/SOT1023/4 LEADS
1,500:¥7.91
3,000:¥7.3676
6,000:¥7.0964
10,500:¥6.8252
参考库存:32987
2N3013
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast SW
2,000:¥4.4974
10,000:¥4.3392
参考库存:32990
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