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晶体管
A1P25S12M3-F参考图片

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A1P25S12M3-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥289.2235
289.2235
5
¥286.229
1431.145
10
¥266.7139
2667.139
25
¥254.8037
6370.0925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
197 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P25S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A1P25S12M3-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5205
800:¥14.5205
参考库存:7731
晶体管
MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3845
100:¥4.9042
500:¥4.3392
800:¥3.4239
参考库存:9629
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:12250
晶体管
MOSFET Nch Small Signal MOSFET
1:¥2.4634
10:¥1.6724
100:¥0.69947
1,000:¥0.47686
8,000:¥0.31527
24,000:查看
参考库存:89729
晶体管
MOSFET 60V, 36A, N Chan Logic Lvl PowerTrnch
1:¥7.9891
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:7830
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