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晶体管
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PD54003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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数量单价合计
1
¥81.5295
81.5295
10
¥74.919
749.19
25
¥71.8454
1796.135
100
¥63.3139
6331.39
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
12 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD54003-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IMH3AT110
ROHM Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
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参考库存:4075
BC516-D27Z
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达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:10628
MJE803G
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达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
参考库存:6404
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