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晶体管
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PD54003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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数量单价合计
1
¥81.5295
81.5295
10
¥74.919
749.19
25
¥71.8454
1796.135
100
¥63.3139
6331.39
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
12 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD54003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD54003-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFM120ATF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:5523
PSMN022-30PL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 30A
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:19532
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:1946
ECH8310-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:6908
FC8V22040L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:5122
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