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晶体管
SIHF530-GE3参考图片

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SIHF530-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
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库存:6,414(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.7969
57.969
100
¥4.407
440.7
500
¥3.6386
1819.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SIH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.1 S
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SIHF530-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9606
100:¥2.1922
500:¥1.808
3,000:¥1.2769
6,000:查看
参考库存:238299
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:208985
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8817
1,000:¥5.4353
3,000:¥4.8138
参考库存:7890
晶体管
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8
1:¥7.91
10:¥7.0286
25:¥6.3506
100:¥5.5596
参考库存:6897
晶体管
MOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
1,000:¥7.9891
参考库存:1960
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