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晶体管
STWA70N60DM6参考图片

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STWA70N60DM6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.037 Ohm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
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库存:1,186(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥86.5241
86.5241
10
¥78.1508
781.508
25
¥74.5348
1863.37
100
¥64.7038
6470.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Qg-栅极电荷
106 nC
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
DM6
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,STWA70N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:28911
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
500:¥382.1999
参考库存:28914
晶体管
MOSFET PMV45EN2/TO-236AB/REEL 11" Q3/
10,000:¥0.62263
20,000:¥0.58421
50,000:¥0.52206
100,000:¥0.49946
参考库存:28917
晶体管
MOSFET TrenchMOS N-Channel
4,800:¥6.5201
9,600:¥6.2602
参考库存:28920
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A Dual
60:¥732.5112
参考库存:28923
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