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晶体管
IRG4BH20K-SPBF参考图片

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IRG4BH20K-SPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.17 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
11 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536124
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格，IRG4BH20K-SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S4-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:1777
FS75R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 130A
1:¥1,133.9324
5:¥1,111.6488
10:¥1,059.8496
25:¥1,037.566
参考库存:1555
FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥293.8339
5:¥290.7603
10:¥271.0192
25:¥258.8717
参考库存:27874
APT64GA90B2D30
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥97.3608
10:¥88.5242
25:¥81.8346
50:¥77.4502
参考库存:1561
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:45307
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