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晶体管
HGTP12N60C3D参考图片

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HGTP12N60C3D

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库存:5,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.8259
2082.59
250
¥19.7524
4938.1
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
104 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTP12N60C3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
24 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTP12N60C3D_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,HGTP12N60C3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:43365
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥46.104
10:¥39.1884
100:¥33.9678
250:¥32.2728
450:¥28.8941
参考库存:43368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥260.4876
250:¥239.0515
参考库存:43371
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥662.971
5:¥642.8457
10:¥622.7091
25:¥594.5834
参考库存:43374
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:43377
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