您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
HGTP12N60C3D参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

HGTP12N60C3D

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:5,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.8259
2082.59
250
¥19.7524
4938.1
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
104 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTP12N60C3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
24 A
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
24 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTP12N60C3D_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,HGTP12N60C3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥4.0341
10,000:¥3.8872
参考库存:42533
晶体管
MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥5.0737
10:¥3.9437
100:¥2.712
1,000:¥1.4012
30,000:¥1.09836
48,000:查看
参考库存:42536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥337.7909
5:¥319.4962
10:¥315.8915
25:¥292.1502
参考库存:42539
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
391:¥18.1365
500:¥16.2946
1,000:¥13.7521
2,500:¥13.0628
参考库存:42542
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2156
100:¥14.9838
250:¥14.5205
3,000:¥10.4525
6,000:查看
参考库存:42545
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们