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晶体管
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STW45N60DM6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
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数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW45N60DM6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，STW45N60DM6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IGW60N60H3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥51.7879
10:¥46.7933
25:¥44.5672
100:¥38.7251
参考库存:3105
2N5336
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥67.461
10:¥66.8508
25:¥60.9296
100:¥54.9406
参考库存:3044
IRF9Z24SPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET
1:¥16.9839
10:¥14.0572
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:4192
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:26221
DTC014YMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:85414
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