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晶体管
IKW40N65H5AXKSA1参考图片

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IKW40N65H5AXKSA1

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数量单价合计
1
¥51.9461
51.9461
10
¥46.9515
469.515
25
¥44.7254
1118.135
100
¥38.8042
3880.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N65H5A SP001187512
商品其它信息
优势价格,IKW40N65H5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.03734
24,000:¥0.9831
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92208
参考库存:31844
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
6:¥1,324.1792
12:¥1,291.2962
30:¥1,273.1597
参考库存:31847
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥705.3912
参考库存:31850
晶体管
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2,500:¥3.8533
10,000:¥3.7177
25,000:¥3.5934
参考库存:31853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 100mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.46104
20,000:¥0.3842
参考库存:31856
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