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晶体管
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DMN3025LSS-13

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.5086
25.086
100
¥1.3673
136.73
1,000
¥1.02152
1021.52
2,500
¥0.88366
2209.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3025
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.3 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3025LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1008L
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
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DMP3056L-7
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1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
参考库存:70031
IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.5151
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:3786
STL12N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4678
IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,570.0672
5:¥1,532.2687
10:¥1,494.2329
25:¥1,473.2488
参考库存:2801
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